第31屆IEEE國際功率半導體器件與集成電路會(huì)議(yì)(ISPSD 2019)圓滿舉辦

第31屆國際功率半導體器件與集成電路會(huì)議(yì)（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)）于5月20日至5月23日在中國上(shàng)海圓滿舉辦。本次ISPSD國際會(huì)議(yì)由浙江大(dà)學和(hé)第三代半導體産業技術創新戰略聯盟主辦，由中國電機工(gōng)程學會(huì)技術主辦，由電氣和(hé)電子工(gōng)程師協會(huì)、IEEE電子器件學會(huì)、IEEE電力電子協會(huì)、IEEE工(gōng)業應用(yòng)協會(huì)、日本電氣工(gōng)程師協會(huì)技術協辦。會(huì)議(yì)主席由浙江大(dà)學電氣工(gōng)程學院院長盛況教授擔任。

第31屆ISPSD會(huì)議(yì)開(kāi)幕式

在開(kāi)幕式上(shàng)，ISPSD大(dà)會(huì)主席、浙江大(dà)學電氣工(gōng)程學院院長盛況教授首先緻歡迎辭，他(tā)對(duì)與會(huì)的專家、學者、同行表示熱烈的歡迎。他(tā)指出，自(zì)31年前在日本東京召開(kāi)第1屆會(huì)議(yì)以來(lái)，ISPSD已成爲國際上(shàng)電力電子器件行業發展、技術進展和(hé)創新理(lǐ)念交流共享最重要的平台，電力電子器件領域的重大(dà)研究成果和(hé)重要學術進展大(dà)多也(yě)在這(zhè)個會(huì)議(yì)上(shàng)首次發表。他(tā)希望通過此次會(huì)議(yì)，專家學者可以分享與交流最新的研究和(hé)發現(xiàn)，參會(huì)者也(yě)借此機會(huì)結交志同道(dào)合的朋友。他(tā)誠邀首次參加ISPSD的參會(huì)者以後每年都齊聚ISPSD，成爲功率半導體器件集成電路大(dà)家庭的一員。

ISPSD大(dà)會(huì)主席、浙江大(dà)學電氣工(gōng)程學院院長盛況教授緻辭

ISPSD技術程序委員會(huì)主席、香港科技大(dà)學Kevin Chen教授介紹了(le)本次參會(huì)論文(wén)錄取情況，共收到(dào)摘要論文(wén)299篇，經過領域内權威專家的嚴格評審，最終入選128篇論文(wén)。

ISPSD技術程序委員會(huì)主席、香港科技大(dà)學Kevin Chen教授作(zuò)報(bào)告

第30屆ISPSD大(dà)會(huì)主席、美(měi)國伊利諾伊斯理(lǐ)工(gōng)大(dà)學John Shen宣讀了(le)入選名人堂的兩位教授名單， Alex Lidow教授因對(duì)矽和(hé)氮化镓功率器件技術的卓越貢獻而獲此殊榮，Don Disney教授因其對(duì)功率IC技術的貢獻以及他(tā)在組織ISPSD會(huì)議(yì)中的領導作(zuò)用(yòng)而獲此殊榮。

第30屆ISPSD大(dà)會(huì)主席、美(měi)國伊利諾伊斯理(lǐ)工(gōng)大(dà)學John Shen宣布入選名人堂名單

  ISPSD宣傳主席、多倫多大(dà)學Wai Tung Ng教授宣布日本Denso公司“Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs with Ultra Low Ron Qgd”一文(wén)獲得第30屆ISPSD會(huì)議(yì)******論文(wén)獎（Ohmi Best Paper Award）。

ISPSD宣傳主席、多倫多大(dà)學Wai Tung Ng教授宣布******論文(wén)獎

本屆ISPSD國際會(huì)議(yì)“星光璀璨”，相關領域的國内外(wài)知(zhī)名專家學者、企業界同行齊聚盛會(huì)。會(huì)議(yì)吸引了(le)中國大(dà)陸、中國香港、中國台灣、日本、美(měi)國、韓國、德國、意大(dà)利、新加坡、瑞士、加拿大(dà)、法國、比利時(shí)、印度等24個國家和(hé)地區(qū)的600餘人參會(huì)。大(dà)會(huì)分設11場專題報(bào)告和(hé)2場海報(bào)報(bào)告，主題涵蓋了(le)高(gāo)壓和(hé)低(dī)壓器件、寬禁帶碳化矽和(hé)氮化镓器件、功率集成電路、封裝與驅動等功率半導體領域的所有方面。

ISPSD專題報(bào)告會(huì)會(huì)場

5月23日下(xià)午，ISPSD2019國際會(huì)議(yì)舉行閉幕式。閉幕式由大(dà)會(huì)主席、浙江大(dà)學電氣工(gōng)程學院院長盛況教授主持，他(tā)全面總結了(le)本屆ISPSD國際會(huì)議(yì)的規模與成果，并宣讀了(le)會(huì)議(yì)評選出的兩位******青年學者獎（Charitat Award）得主，來(lái)自(zì)加拿大(dà)多倫多大(dà)學的Wei Jia Zhang和(hé)來(lái)自(zì)日本京都大(dà)學的Takuya Maeda斬獲殊榮。

在會(huì)議(yì)交接儀式上(shàng)，下(xià)一屆ISPSD主席、英飛(fēi)淩公司的Oliver Haberlen博士代表主辦方介紹了(le)下(xià)屆會(huì)議(yì)各項準備工(gōng)作(zuò)的進展，并邀請(qǐng)與會(huì)者于2020年莅臨奧地利維也(yě)納共同參加下(xià)一次盛會(huì)。ISPSD的會(huì)議(yì)大(dà)旗由本屆主席盛況教授遞交到(dào)下(xià)屆主席Oliver Haberlen博士手中，标志着此次會(huì)議(yì)圓滿結束，下(xià)屆會(huì)議(yì)的周期正式開(kāi)始。

第31屆、32屆ISPSD會(huì)旗交接儀式

本次會(huì)議(yì)獲與會(huì)者高(gāo)度評價，一緻感謝(xiè)主辦方浙江大(dà)學的悉心操持，并認爲會(huì)議(yì)議(yì)題全面而前沿，而上(shàng)海的人文(wén)與自(zì)然景觀則使人印象深刻，流連忘返。

IEEE ISPSD是功率半導體領域最具影響力和(hé)規模******的頂級國際學術會(huì)議(yì)，一般在日本、北美(měi)和(hé)歐洲之間輪換。本屆會(huì)議(yì)是ISPSD首次由中國大(dà)陸主辦，得益于中國電力電子器件和(hé)集成電路的高(gāo)速發展，标志着我國本行業的發展進入新紀元！